Главная | RSS News
 
 

Цель и методы оптимизации

Введение жестких международных и Российских стандартов в области ЭМС в последние годы привело к увеличению заинтересованности производителей ЭС в оценке паразитных электромагнитных полей изделий [376]. Действительно, производители ЭС заинтересованы в оптимизации своей продукции с точки зрения ЭМС, прежде чем проводить соответствующие испытания, для того чтобы снизить затраты времени на маркетинговые исследования, анализ себестоимости и проектирование.
С другой стороны, с увеличением скоростей передачи сигналов в цифровых системах эффект влияния межсоединений становится доминирующим фактором, ограничивающим эксплуатационные показатели системы. Неправильная разработка межсоединений выражается в увеличении задержек сигналов, их искажений и отражений, неверном срабатывании элементов и т.д. Данные недостатки должны учитываться на стадии проектирования цифровых систем. Эффекты влияния межсоединений в цифровых системах существуют на нескольких уровнях, например, печатная плата, многокристальный модуль и т.д. Число межсоединений в такой системе может быть очень большим.
Оптимизация достаточно большой сети межсоединений с распределенными параметрами, учитывающая критерии ЭМС и большое число параметров линий передач, является очень сложной задачей [92, 430], которая до сих пор остается нерешенной.
В работе [139] рассматриваются характерные компромиссные решения, которые возможны при проектировании КМОП БИС на вентильных матрицах, полузаказных и заказных схемах. В центре внимания – оптимизация конструкции по быстродействию и площади, а также выполнение требований возбуждения нагрузки на кристалле с применением одномерного и двумерного расширения (в смысле площади вентиля).
Подробно сравнивается эффективность различных проектных решений по их способности обеспечивать определенные характеристики в заданных пределах по быстродействию и (или) площади при работе на внутрикристальные нагрузки с геометрическими ограничениями или без таковых. В результате сравнения получен ряд расчетных кривых как для полностью заказных КМОП–схем, для которых можно оптимальным образом применить двумерное расширение, так и для полузаказных схем и вентильных матриц, для которых существуют геометрические ограничения (фиксированная высота ячейки или размеры приборов). Введено понятие коэффициента качества (быстродействие, площадь), используемого для сравнения окончательных характеристик различных вариантов. Указано, что возможна такая топология кристалла, которая применима для всех вариантов схем.

Прочитало: 2061
 
 
Календарь
 
«    Октябрь 2013    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 
 

Меню
  »  Классификация портов проникновения ЭМИ
»  Задачи ЭМС ЭС при внешних воздействиях
»  Средства электромагнитного террора
»  Методы и средства анализа воздействия ЭМИ на ЭС
»  Анализ эффективности экранирования корпусов ЭС
»  Экранирование э.-м. воздействий стенами ИЗ
»  Цель и методы оптимизации
»  Оптимизация внутриаппаратурной ЭМС межсоединений
»  Многокритериальная оптимизация
 
 

Архивы
 Октябрь 2008 (17)
Сентябрь 2008 (30)
Август 2008 (19)
 
 

Популярное
   
 

Реклама
  марки глюкометры без забора крови
Статьи
Ещё
 
 

 
 
E-M-P.Ru 1, 2

Скачать порно 3gp на http://www.3gp-porn.org.